비정질 실리콘과 산화물 반도체의 안정성

2022. 7. 29. 17:32기타 등등

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이 포스트를 통해 제조사들이 현재 VA 모드 LCD의 측면 가시성 문제를 개선하기 위해 전하 공유 구조에 정전용량(금속-절연체-반도체-금속 구조)의 장기 안정성을 적용하고 있는 수소첨가 비정질 실리콘 및 차세대 소자들에 대해 알아보았다. 산화물 반도체를 비교 연구하였습니다.

 

 

 

 

수소화 비정질 실리콘은 AC 바이어스 스트레스의 경우에도 LCD 구동과 동일한 고온 및 백라이트 광량에서 문턱 전압과 (+) 방향의 C-V 곡선 시프트를 가지며, 그 양도 화소에서도 발생함을 알 수 있었습니다. 구동 전압 레벨. . 바이어스 스트레스로 인한 C-V 곡선의 이동은 VA 모드 LCD의 측면 가시성 구조 중 하나인 전하 공유 구조에서 서브 픽셀의 전압에 영향을 주어 휘도 변화를 유발할 수 있습니다.

 

그러나, 바이어스 스트레스에 대한 수소화 비정질 실리콘의 안정성은 전하 공유 가시성 구조 측면에서 미미할 뿐이며, 이는 현재의 TV 주행 조건에서 볼 때 인간의 인지 능력으로 구별할 수 없습니다. 이 테스트에서 산화물 반도체(IGZO 등)의 바이어스 스트레스에 대한 안정성은 수소화 비정질 실리콘에 비해 아직 부족하지만 비슷한 수준에 도달할 가능성을 보여주었습니다.

 

차세대 반도체 소재로 각광받고 있는 산화물 반도체의 가장 큰 이슈가 장기 운용 안정성 확보임을 다시 한 번 확인했습니다. 응력 진행 결과가 수소화 비정질 규소와 비슷하거나 더 좋다는 보고가 있지만, 실제 양산에서 안정적이고 재현 가능한 결과를 보여주기 위해서는 산화물 반도체의 안정성 관점에서 지속적인 연구가 필요함을 알 수 있었습니다.

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